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簡要描述:NES8100系列高溫反偏老化測試系統(tǒng)是一款適用于各種封裝形式(包括SMD表面貼裝)微波器件的高溫反偏老化測試系統(tǒng),系統(tǒng)滿足雙電源型GaN類、微波MOS管等半導(dǎo)體分立器件的高溫反偏/柵偏試驗(yàn)(HTRB/HTGB)和高溫漏電流測試(HTIR)。NES8100 系列高溫反偏老化測試系統(tǒng)支持電壓200V單偏置或雙偏置的高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)和老煉篩選。
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NES8100系列高溫反偏老化測試系統(tǒng)產(chǎn)品簡介:
是一款適用于各種封裝形式(包括SMD表面貼裝)微波器件的高溫反偏老化測試系統(tǒng),系統(tǒng)滿足雙電源 型GaN類、微波MOS管等半導(dǎo)體分立器件的高溫反偏/柵偏試驗(yàn)(HTRB/HTGB)和高溫漏電流測試(HTIR)。NES8100系列采用高 品質(zhì)的GWS的PH-201型號高溫箱,最高長期穩(wěn)定工作溫度為175℃;具備測試通道多的特點(diǎn),單系統(tǒng)16CH支持單管芯器件640 工位測試;支持電壓200V單偏置或雙偏置的高溫反偏試驗(yàn)(HTRB)和老煉篩選。NES8100系列為半導(dǎo)體器件高溫反偏測試定制開 發(fā)專用軟件,集成自動調(diào)節(jié)加電模式、在線調(diào)節(jié)加電模式、加載時序控制、自動保護(hù)器件、數(shù)據(jù)實(shí)時監(jiān)控等多種功能。
NES8100系列高溫反偏老化測試系統(tǒng)主要特點(diǎn):
支持高溫反偏/柵偏試驗(yàn)(HTRB/HTGB)和高溫漏電流測試(HTIR)
GWS單高溫箱結(jié)構(gòu),長期穩(wěn)定工作溫度為175℃
雙一級電源供電,Vd為200V;Vg為±15.0V
NGI品牌高精度測試電源,高精度、低紋波
Vg電源單機(jī)四通道,高集成度
Vg采用UPS供電的二級電源設(shè)計,軟硬件時序控制
單系統(tǒng)16CH支持單管芯器件640工位測試
自動調(diào)節(jié)、在線調(diào)試多種加電模式,加載時序控制
數(shù)據(jù)實(shí)時監(jiān)控、全程記錄,測試數(shù)據(jù)快速溯源
單工位Vd均加繼電器自動保護(hù),器件測試更安全
規(guī)格參數(shù)表:
型號 | NES8100-16 |
適用標(biāo)準(zhǔn)/條款 | MIL-STD-750D、MIL-M-19500、GJB128A、AEC-101 |
尺寸 | 1450mm(寬)×1430mm(深)×1900mm(高) |
重量 | 1000kg |
供電 | AC 220V±10%,50Hz |
功率 | ≤12kW |
高溫試驗(yàn)箱(PH-201) | |
試驗(yàn)腔尺寸 | 600*600*600(mm) |
風(fēng)道設(shè)計 | 水平橫向循環(huán)風(fēng)道設(shè)計 |
長期最高試驗(yàn)溫度 | 150℃(老化板配件最高耐溫150℃) |
溫度均勻性 | 150℃±3℃(空載),試驗(yàn)溫度波動度:±1℃ |
溫度顯示及控制精度 | 1℃ |
測試電源(NGI) | |
Vd電源數(shù)量 | 4臺 |
Vd電壓范圍 | 0~240V |
Vd電流范圍 | 0~30A |
Vd功率范圍 | 0~1200W |
Vg電源數(shù)量 | 2臺(單機(jī)四通道) |
Vg電壓范圍 | 0~60V |
Vg電流范圍 | 0~15A |
Vg功率范圍 | 0~360W |
測試容量 | |
獨(dú)立試驗(yàn)區(qū)數(shù)量 | 4個區(qū)(一組測試電源對應(yīng)一個試驗(yàn)區(qū)) |
測試通道數(shù) | 16CH |
單板工位數(shù)/總?cè)萘?/td> | 40工位/640工位 |
驅(qū)動檢測板 | |
數(shù)量 | 16塊 |
Vd電壓檢測 | 0V~200V;分辨率:0.1V;精度: 1%+0.1V |
Vg電壓檢測 | -15.00V~15.00V;分辨率:0.01V;精度: 1%+0.01V |
Id漏電流檢測 | 0.01mA~50mA;分辨率:0.01mA;精度:2%+30μA |
Ig漏電流檢測 | 0.01mA~50mA;分辨率:0.01mA;精度:2%+30μA |
老化板 | |
基板材質(zhì) | 標(biāo)配高Tg基板(可定制) |
耐溫范圍 | 耐溫150℃(可定制) |
老化板尺寸 | 290mm*600mm(可定制) |
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